Coarse Silicon Carbide
Silicon Carbide 100 Grit
Silicon Carbide Products
36 Grit Silicon Carbide supplier

거친 실리콘 카바이드

거친 탄화규소(Coarse Silicon Carbide)는 실리콘(Si)과 탄소(C)로 구성된 화합물 반도체 소재이다. 결합력이 매우 강하고 열적, 화학적, 기계적으로 안정적입니다.

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제품 소개

실리콘 카바이드 100 그릿 설명

SiC로 대표되는 3세대-반도체 고전력 전력 전자 장치는 전력 전자 분야에서 가장 빠르게 성장하는 전력 반도체 장치 중 하나입니다.

탄화규소는 3세대 반도체 재료의 전형적인 대표자일 뿐만 아니라 가장 널리 사용되는 광대역 반도체 재료 중 하나인 가장 성숙한 결정 생산 기술 및 장치 제조 수준으로 글로벌 재료, 장치 및 응용 산업 체인을 형성했습니다. 이는 고온-, 고주파{2}}, 내방사선-및 고전력-응용 분야에 이상적인 반도체 소재입니다.

실리콘 카바이드 제품 사양

탄화규소 제품 공급업체-ZhenAn International

일반적인 화학 분석
SiC	99.05%
SiO2	0.20%
F,시	0.03%
Fe2O3	0.10%
F.C	0.04%
전형적인 물리적 특성
경도:	모스:9.5
녹는점:	2600도에서 승화
최대 서비스 온도:	1900도
비중:	3.2g/cm3
부피밀도(LPD):	1.2-1.6g/cm3
색상:	녹색
입자 모양:	육각형

실리콘 카바이드 100 그릿 제조업체-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

SiC 분말 공급업체-ZhenAn

SiC Powder supplier-ZhenAn

기계적 성질:높은 경도(킬달 경도 3000kg/mm²), 루비를 절단할 수 있습니다. 다이아몬드에 이어 두 번째로 높은 내마모성.

열적 특성:열 전도도는 금속 구리보다 높고 Si의 3배, GaAs의 8~10배이며 우수한 방열 성능은 고전력 장치에 매우 중요합니다.

화학적 성질:내식성은 매우 강하며 실온에서는 알려진 거의 모든 부식제에 저항할 수 있습니다. SiC 표면은 쉽게 산화되어 SiO2의 얇은 층을 생성하고 추가 산화를 방지할 수 있으며, 1700도 이상에서는 이 산화막이 녹고 빠른 산화 반응이 발생합니다. SiC는 용융된 산화제 물질에 용해될 수 있습니다.

전기적 특성:4H-SiC 및 6H-SiC 밴드 갭은 Si의 약 3배, GaAs의 2배입니다. 항복 전기장 강도는 Si보다 10배 높고, 포화 전자 표류율은 Si. 4H-SiC의 2.5배이며, 밴드 갭이 6H-SiC보다 넓습니다.

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